中国特許判例紹介:中国における分割出願の時期的要件(第1回) - 特許・商標・著作権全般 - 専門家プロファイル

河野 英仁
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中国特許判例紹介:中国における分割出願の時期的要件(第1回)

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中国特許判例紹介:中国における分割出願の時期的要件(第1回)

~分割可能時期を巡り争われた事件~

河野特許事務所 2013年1月29日 執筆者:弁理士 河野 英仁

 

                        フェアチャイルド・セミコンダクター有限公司

                                                         原告

                                     v.

                                国家知識産権局

                                                         被告

 

1.概要

 出願内容が発明の単一性を満たさない場合、または、明細書中に記載された他の発明について、別途権利化を図る必要がある場合、分割出願を行う。分割出願については、基礎となる特許出願(親出願)に基づく第1分割出願(子出願)を行う事ができるほか、第1分割出願に基づく第2分割出願(孫出願)をも行うことができる。

 

 しかしながら、この分割出願を行うことができる時期には、一定の制限があり、また国毎にその条件が大きく相違する。

 

 中国においては第2分割出願を行うことができる時期が、立法化されていない。本事件では特許出願人が、基礎特許出願が権利化されてから2年後に、第1分割出願に基づき第2分割出願を行ったところ、国家知識産権局(知識産権局)は当該出願を受理しなかった。特許出願人は北京市第一中級人民法院(以下、中級人民法院)に提訴したが、中級人民法院は国家知識産権局の決定を維持する判決をなした[1]。

 

 

2.背景

(1)特許の内容

 フェアチャイルド・セミコンダクター有限公司(原告)は1998年11月13日知識産権局にと「電界効果トランジスタ及びその製造方法」称する発明特許出願を行った。特許出願番号は98122326.5号である(以下、親出願)。参考図1は親出願の代表図面である。

 

 

 

参考図1 親出願の代表図

 

 親出願に開示された溝型電界効果トランジスタは、

 半導体基板と、

 前記半導体基板の中に所定深さに延びる溝と、

 前記溝の両側に位置するドープされた1対のソース接合と、

 前記各ソース接合に近接して、該ソース接合の前記溝と反対側に位置するドープされた厚手部にして、該厚手部の最も深い部分が前記半導体基板の中に前記溝の所定深さより深くない位置まで延びている前記厚手部と、

 前記厚手部の下方に、該厚手部を囲むドープされたウエルとを備えるように構成されている。

 

 知識産権局(被告)は親出願に対し審査を行い、2007年5月18日親出願に対して特許権付与通知をなした。そして2007年9月19日公告を行った。原告は、2006年12月19日親出願に基づき、第1次分割出願を行った。国家知識産権局は2008年11月28日第1次分割出願に対して特許権付与通知をなし、2009年2月11日に第1次分割出願についての公告を行った。

 

(2)訴訟の経緯

 参考図2は出願の経緯を示す説明図である。原告はさらに、2009年1月16日第1次分割出願に対する第2次分割出願を行った。審査官は、2009年4月3日補正通知書を発行し、第2次分割出願が実施細則の規定に反するとして2009年7月17日、第2次分割出願が提出されていないとみなす通知書を発行した。原告は当該処分を不服として北京市第一中級人民法院へ提訴した。

 

 参考図2 出願の経緯を示す説明図

 



[1] 2010年6月8日北京市第一中級人民法院判決 (2010)一中知行初字第329号

(第2回へ続く)

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